制造商编号

Renesas Electronics P型沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 4针, MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG系列

RS 库存编号:: 264-1238
制造商零件编号:: NP100P06PDG-E1-AY
制造商:: Renesas Electronics

Renesas Electronics P型沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 4针, MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG系列

小计（1 管，共 800 件）*

RMB18,532.00

(不含税)

RMB20,940.80

在 2026年12月30日发货

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单位	每单位	Per Tube*
800 +	RMB23.165	RMB18,532.00

* 参考价格

RS 库存编号:: 264-1238
制造商零件编号:: NP100P06PDG-E1-AY
制造商:: Renesas Electronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Renesas Electronics
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	NP100P06PDG
	包装类型	MP-25ZP (TO-263)
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	5.1mΩ
	通道模式	P
	正向电压 Vf	1.5V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	300nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Renesas Electronics
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 NP100P06PDG
	包装类型 MP-25ZP (TO-263)
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 5.1mΩ
	通道模式 P
	正向电压 Vf 1.5V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 300nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - NP100P06PDG-E1-AY

COO (Country of Origin):: MY

Renesas Electronics 提供低电压功率,带 P 通道型 MOS 现场效应晶体管,设计用于高电流切换应用。它包含 100 A 最大排放电流。

最大排放源电压为 60 V

安装类型为表面安装

Renesas Electronics P型沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 4针, MP-25ZP (TO-263), NP100P06PDG系列

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