Renesas Electronics P型沟道 P型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, MP-25ZP (TO-263), 表面安装, 4引脚, NP100P06PDG系列
- RS 库存编号:
- 264-1239P
- 制造商零件编号:
- NP100P06PDG-E1-AY
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 48 | RMB37.85 |
| 50 - 98 | RMB37.105 |
| 100 - 248 | RMB30.98 |
| 250 + | RMB30.345 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-1239P
- 制造商零件编号:
- NP100P06PDG-E1-AY
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | MP-25ZP (TO-263) | |
| 系列 | NP100P06PDG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.1mΩ | |
| 通道模式 | P | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 300nC | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 MP-25ZP (TO-263) | ||
系列 NP100P06PDG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.1mΩ | ||
通道模式 P | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 300nC | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Renesas Electronics 提供低电压功率,带 P 通道型 MOS 现场效应晶体管,设计用于高电流切换应用。它包含 100 A 最大排放电流。
最大排放源电压为 60 V
安装类型为表面安装