制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-252, R6004END3系列

RS 库存编号:: 264-3776
制造商零件编号:: R6004END3TL1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=4 A, 3针, TO-252, R6004END3系列

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单位	每单位	每包*
5 - 45	RMB16.93	RMB84.65
50 - 95	RMB14.60	RMB73.00
100 - 245	RMB11.834	RMB59.17
250 - 995	RMB11.598	RMB57.99
1000 +	RMB8.306	RMB41.53

* 参考价格

RS 库存编号:: 264-3776
制造商零件编号:: R6004END3TL1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	R6004END3
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.98Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	15nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	59W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 R6004END3
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.98Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 59W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - R6004END3TL1

COO (Country of Origin):: CN

ROHM 低噪声功率 MOSFET 适用于开关电源，具有低导通电阻，低辐射噪声，无铅电镀，符合 RoHS 标准。

快速开关

方便并联使用

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