ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, R6004END3TL1, R6004END3系列

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RS 库存编号:
264-3776
制造商零件编号:
R6004END3TL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-252

系列

R6004END3

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.98Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最大功耗 Pd

59W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
ROHM 低噪声功率 MOSFET 适用于开关电源,具有低导通电阻,低辐射噪声,无铅电镀,符合 RoHS 标准。

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