制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=17.5 A, 3针, TO-252, RD3P175SN系列

RS 库存编号:: 264-3815
制造商零件编号:: RD3P175SNTL1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=17.5 A, 3针, TO-252, RD3P175SN系列

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50 - 95	RMB13.114	RMB65.57
100 - 245	RMB10.254	RMB51.27
250 - 995	RMB10.044	RMB50.22
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RS 库存编号:: 264-3815
制造商零件编号:: RD3P175SNTL1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	17.5A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	RD3P175SN
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	105mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最大功耗 Pd	20W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 17.5A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 RD3P175SN
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 105mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.5V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最大功耗 Pd 20W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RD3P175SNTL1

COO (Country of Origin):: CN

低导通电阻 ROHM 功率 MOSFET 适用于开关，驱动电路简单，无铅电镀，符合 RoHS 标准。

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