ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, -2.5 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RSR025P03HZGTL, RSR025P03HZG系列
- RS 库存编号:
- 264-3855
- 制造商零件编号:
- RSR025P03HZGTL
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB98.65
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RMB111.475
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.946 | RMB98.65 |
| 50 - 75 | RMB3.868 | RMB96.70 |
| 100 - 225 | RMB3.021 | RMB75.53 |
| 250 - 975 | RMB2.96 | RMB74.00 |
| 1000 + | RMB2.095 | RMB52.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-3855
- 制造商零件编号:
- RSR025P03HZGTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-346 | |
| 系列 | RSR025P03HZG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 98mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -2.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-346 | ||
系列 RSR025P03HZG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 98mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.4nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ROHM small signal MOSFET 是汽车用低导通电阻 MOSFET，适用于开关，采用小型表面贴装型封装。无铅电镀; 符合 RoHS 标准和 AEC-Q101 标准。
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