ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, -2 A, SOT-346, 表面安装, 3引脚, RTR020P02HZGTL, RTR020P02HZG系列
- RS 库存编号:
- 264-3872P
- 制造商零件编号:
- RTR020P02HZGTL
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥214.55
(不含税)
¥242.45
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB4.291 |
| 100 - 240 | RMB3.352 |
| 250 - 990 | RMB3.282 |
| 1000 + | RMB2.122 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-3872P
- 制造商零件编号:
- RTR020P02HZGTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | RTR020P02HZG | |
| 包装类型 | SOT-346 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 135mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -2A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 RTR020P02HZG | ||
包装类型 SOT-346 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 135mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.9nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ROHM 小信号 MOSFET 是高可靠性汽车 MOSFET，适用于开关，采用节省空间的小型表面贴装封装。无铅电镀; 符合 RoHS 标准和 AEC-Q101 标准。
低导通电阻
内置 G-S 保护二极管