Microchip N型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TN0606系列

RS 库存编号:: 264-8910P
制造商零件编号:: TN0606N3-G
制造商:: Microchip

Microchip N型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TN0606系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	3A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	TO-92
	系列	TN0606
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	1W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Microchip
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 3A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 TO-92
	系列 TN0606
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 1W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - TN0606N3-G

Microchip N 通道低限值增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。

2V 最大低限值

高输入阻抗

100pF 典型低输入电容

快速切换速度

低接通电阻

不会出现次级故障

低输入和输出泄漏

Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TN0606系列

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