Microchip N型沟道 MOSFET型 MOSFET, Vds=300 V, 250 mA, SOT-23, 通孔安装, 3引脚, TN2130K1-G
- RS 库存编号:
- 264-8917
- 制造商零件编号:
- TN2130K1-G
- 制造商:
- Microchip
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|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.984 | RMB74.60 |
| 50 - 75 | RMB2.924 | RMB73.10 |
| 100 - 225 | RMB2.866 | RMB71.65 |
| 250 - 975 | RMB2.809 | RMB70.23 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8917
- 制造商零件编号:
- TN2130K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 250mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 300V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | MOSFET | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.36W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 250mA | ||
最大漏源电压 Vd 300V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 MOSFET | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.36W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip N 通道低限值增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
不会出现次级故障
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益