Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=240 V, 360 A, SOT-89, 通孔安装, 3引脚, TN2524系列
- RS 库存编号:
- 264-8919P
- 制造商零件编号:
- TN2524N8-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.816 |
| 100 - 245 | RMB7.884 |
| 250 - 995 | RMB7.726 |
| 1000 + | RMB7.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8919P
- 制造商零件编号:
- TN2524N8-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 360A | |
| 最大漏源电压 Vd | 240V | |
| 包装类型 | SOT-89 | |
| 系列 | TN2524 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.6 mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 360A | ||
最大漏源电压 Vd 240V | ||
包装类型 SOT-89 | ||
系列 TN2524 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.6 mm | ||
高度 1.6mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 4.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip N 通道低限值增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。此组合可产生具有双极晶体管的功率处理能力的器件,并具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
低临界值(最大 2.0V)
高输入阻抗
低输入电容(最大 125pF)
快速切换速度
低接通电阻
不会出现次级故障
低输入和输出泄漏