Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, -175 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TP0620N3-G, TP0620系列
- RS 库存编号:
- 264-8927
- 制造商零件编号:
- TP0620N3-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB13.118 | RMB65.59 |
| 50 - 95 | RMB10.822 | RMB54.11 |
| 100 - 245 | RMB10.038 | RMB50.19 |
| 250 - 495 | RMB9.832 | RMB49.16 |
| 500 + | RMB9.638 | RMB48.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8927
- 制造商零件编号:
- TP0620N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -175A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 系列 | TP0620 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -175A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-92 | ||
系列 TP0620 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip P 通道低临界值、增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经验丰富的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。
低临界值 (-2.4V 最大值)
高输入阻抗
低输入电容(85pF 典型值)
快速切换速度
低接通电阻
不会出现次级故障
低输入和输出泄漏