Microchip N沟道MOS管, Vds=50 V, SOT-89封装, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 264-8947P
- 制造商零件编号:
- VN3205N8-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.984 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8947P
- 制造商零件编号:
- VN3205N8-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SOT-89 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大漏源电压 50 V | ||
封装类型 SOT-89 | ||
安装类型 通孔 | ||
Microchip P 通道低临界值、增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经过验证的硅门制造工艺。此组合可产生具有双极晶体管的功率处理能力的器件,并具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于需要高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的各种切换和放大应用。
不会出现次级故障
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益
低功率驱动要求
易于并行
低 CISS 和快速切换速度
出色的热稳定性
一体式源排放二极管
高输入阻抗和高增益