ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 23 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, R6055VNXC7G, R6055VNX系列

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制造商零件编号:
R6055VNXC7G
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

23A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

R6055VNX

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.071Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

100W

最高工作温度

150°C

标准/认证

Pb-Free Plating, RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换电路、单电池应用和移动应用。

快速反向恢复时间(trr)

低接通电阻

快速切换速度

驱动电路可以变得简单化