ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 3 A, SMM1006, 表面安装, 3引脚, RA1C030LD系列

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RS 库存编号:
265-5426
制造商零件编号:
RA1C030LDT5CL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

RA1C030LD

包装类型

SMM1006

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

140mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.5nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

+7 to -0.2 V

最大功耗 Pd

1W

最高工作温度

150°C

标准/认证

Pb-free lead plating, RoHS

汽车标准

ROHM MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于开关电路、单电池应用和移动应用。它安装在铜板上且无卤。

低接通电阻

高功率小型封装

无铅引线镀层

无卤素