ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 3 A, SMM1006, 表面安装, 3引脚, RA1C030LD系列
- RS 库存编号:
- 265-5427P
- 制造商零件编号:
- RA1C030LDT5CL
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计 1000 件 (以卷装提供)*
¥1,012.00
(不含税)
¥1,144.00
(含税)
有库存
- 19,925 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1975 | RMB1.012 |
| 2000 - 4975 | RMB0.993 |
| 5000 - 9975 | RMB0.974 |
| 10000 + | RMB0.954 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 265-5427P
- 制造商零件编号:
- RA1C030LDT5CL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | RA1C030LD | |
| 包装类型 | SMM1006 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 140mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | +7 to -0.2 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | Pb-free lead plating, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 RA1C030LD | ||
包装类型 SMM1006 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 140mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5nC | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最大栅源电压 Vgs +7 to -0.2 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 Pb-free lead plating, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装，适用于开关电路、单电池应用和移动应用。它安装在铜板上且无卤。
低接通电阻
高功率小型封装
无铅引线镀层
无卤素