制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=105 A, 3针, TO-220, RX3G18BBG系列

RS 库存编号:: 266-3864
制造商零件编号:: RX3L07BBGC16
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=105 A, 3针, TO-220, RX3G18BBG系列

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单位	每单位	每包*
2 - 48	RMB25.445	RMB50.89
50 - 98	RMB22.85	RMB45.70
100 - 248	RMB18.70	RMB37.40
250 - 498	RMB18.33	RMB36.66
500 +	RMB15.98	RMB31.96

* 参考价格

RS 库存编号:: 266-3864
制造商零件编号:: RX3L07BBGC16
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	105A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	RX3G18BBG
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.47mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	210nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	192W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	Pb-Free Plating, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 105A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 RX3G18BBG
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.47mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 210nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 192W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 Pb-Free Plating, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RX3L07BBGC16

ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换。

无铅镀层

符合 RoHS 标准

无卤素

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