ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=55 A, 4针, TO-247

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包装方式:
RS 库存编号:
266-3884
制造商零件编号:
SCT3040KRC15
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

4

通道模式

增强

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

ROHM MOSFET 是 SiC MOSFET,具有槽门结构,经优化用于多种应用,包括需要高效率的服务器电源、太阳能电源变频器、开关模式电源、电动机驱动、感应加热和 EV 充电站。采用新的 4 引脚封装,可分离电源和驱动器源接线端子,使其能够最大程度地提高高速切换性能。这特别改善了转 ON 损失,因此,与传统的 3-pin 套件相比,总转 ON 和转 OFF 损失可降低多达 35%。

低接通电阻

快速切换速度

驱动简单

无铅引线镀层

快速反向恢复

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