制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=650 A, 3针, SOT-23, BSS670系列

RS 库存编号:: 267-2292
制造商零件编号:: BSS670T116
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=650 A, 3针, SOT-23, BSS670系列

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50 - 75	RMB1.651	RMB41.28
100 - 225	RMB1.053	RMB26.33
250 - 975	RMB1.032	RMB25.80
1000 +	RMB0.567	RMB14.18

* 参考价格

RS 库存编号:: 267-2292
制造商零件编号:: BSS670T116
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	650A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOT-23
	系列	BSS670
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.68Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	350W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	60V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 650A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOT-23
	系列 BSS670
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.68Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 350W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 60V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSS670T116

ROHM BSS670 是 Nch 60V 650mA 单 MOSFET，SST3 封装内置 ESD 保护二极管。此产品特别适用于开关电路和低侧负载开关、继电器驱动器应用。

非常快速的切换

超低电压驱动

ESD 保护高达 2kV

无卤素

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