Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=200 A, 3针, TO-263
- RS 库存编号:
- 267-7441
- 制造商零件编号:
- CSD18536KTTT
- 制造商:
- Texas Instruments
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- RS 库存编号:
- 267-7441
- 制造商零件编号:
- CSD18536KTTT
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 200A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
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