Vishay , 4 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SI9634DY系列, SI9634DY-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 268-8283
- 制造商零件编号:
- SI9634DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.628 | RMB56.28 |
| 50 - 90 | RMB5.513 | RMB55.13 |
| 100 - 240 | RMB4.39 | RMB43.90 |
| 250 - 990 | RMB4.30 | RMB43.00 |
| 1000 + | RMB2.858 | RMB28.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8283
- 制造商零件编号:
- SI9634DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SI9634DY | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 60 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SI9634DY | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 60 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 双 N 通道 TrenchFET 4 代功率 MOSFET 是完全无铅和无卤设备。它经过优化,比率可减少与切换相关的功率损耗,并可用于同步整流、电动机驱动对抗等应用
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试