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Vishay 双N沟道增强型MOSFET, 4个元件/芯片, Vds=60 V, Id=8 A, 8针, SO-8, SI9634DY系列

Name: Vishay 双N沟道增强型MOSFET, 4个元件/芯片, Vds=60 V, Id=8 A, 8针, SO-8, SI9634DY系列
Brand: Vishay
SKU: 268-8283
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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	双N
	最大连续漏极电流 Id	8A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SO-8
	系列	SI9634DY
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	60V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested
	每片芯片元件数目	4
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型双N
	最大连续漏极电流 Id 8A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SO-8
	系列 SI9634DY
	安装类型表面
	引脚数目 8
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 60V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested
	每片芯片元件数目 4
	汽车标准否

Vishay 双 N 通道 TrenchFET 4 代功率 MOSFET 是完全无铅和无卤设备。它经过优化,比率可减少与切换相关的功率损耗,并可用于同步整流、电动机驱动对抗等应用

符合 ROHS 标准

100% UIS 测试

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