Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9 A, powerpak so - 8DC, 表面安装, 8引脚, SIHA150N60E-GE3, SIHA系列
- RS 库存编号:
- 268-8288
- 制造商零件编号:
- SIHA150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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RMB58.62
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB29.31 | RMB58.62 |
| 10 - 18 | RMB26.48 | RMB52.96 |
| 20 - 98 | RMB25.94 | RMB51.88 |
| 100 - 498 | RMB21.66 | RMB43.32 |
| 500 + | RMB18.905 | RMB37.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8288
- 制造商零件编号:
- SIHA150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | powerpak so - 8DC | |
| 系列 | SIHA | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.158Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 powerpak so - 8DC | ||
系列 SIHA | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.158Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay E 系列功率 MOSFET 降低了开关和传导损耗,可用于开关模式电源、服务器电源和功率因数校正电源等应用。
低有效电容
浪涌能量额定值
优势数字低