Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9 A, powerpak so - 8DC, 表面安装, 8引脚, SIHA150N60E-GE3, SIHA系列
- RS 库存编号:
- 268-8288
- 制造商零件编号:
- SIHA150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | RMB26.48 | RMB52.96 |
| 20 - 98 | RMB25.94 | RMB51.88 |
| 100 - 498 | RMB21.66 | RMB43.32 |
| 500 + | RMB18.905 | RMB37.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8288
- 制造商零件编号:
- SIHA150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SIHA | |
| 包装类型 | powerpak so - 8DC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.158Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SIHA | ||
包装类型 powerpak so - 8DC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.158Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHA系列MOSFET,650 V最大漏源电压,9 A最大连续漏电流 - SIHA150N60E-GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为表面贴装电源应用而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于需要高压处理和紧凑组装的工业和电子控制环境。
特性和优点：
• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 9 A 连续漏电流支持中等功率负载 • 0.158 Ω RDS(on) 可最大程度减少传导损耗,提高效率 • 36 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的驱动计时 • 179W 功耗可管理大量热负载 • 150°C的最高工作温度允许高温使用
应用
• 适用于高压电源转换器和逆变器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于开关模式电源初级侧开关 • 可用于自动化系统中的电感负载切换
我应对哪些栅极驱动限制进行规划?
栅极必须在 ±30V 范围内驱动,典型栅极电荷为 36 nC
确保驱动器能够提供所需的充电和切换速度。
热管理应如何进行连续运行?
具有 179 W 耗散能力和最大接点温度为 150 °C,使用合适的 PCB 热通道、铜区或散热片以保持接点温度在限值范围内。
此设备是否适用于汽车认证?
它未指定为符合汽车标准,因此在没有进一步验证的情况下,不应认为它适用于经认证的汽车应用。
哪些封装和安装因素会影响布局?
该设备采用 PowerPAK SO‐8DC 表面贴装封装,带八个引脚
平面垫几何形状和热垫,可实现低热阻和可靠的焊点。