Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9 A, powerpak so - 8DC, 表面安装, 8引脚, SIHA150N60E-GE3, SIHA系列

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制造商零件编号:
SIHA150N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

powerpak so - 8DC

系列

SIHA

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.158Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

179W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHA系列MOSFET,650 V最大漏源电压,9 A最大连续漏电流 - SIHA150N60E-GE3


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为表面贴装电源应用而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于需要高压处理和紧凑组装的工业和电子控制环境。

特性和优点：


• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 9 A 连续漏电流支持中等功率负载 • 0.158 Ω RDS(on) 可最大程度减少传导损耗,提高效率 • 36 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的驱动计时 • 179W 功耗可管理大量热负载 • 150°C的最高工作温度允许高温使用

应用


• 适用于高压电源转换器和逆变器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于开关模式电源初级侧开关 • 可用于自动化系统中的电感负载切换

我应对哪些栅极驱动限制进行规划?


栅极必须在 ±30V 范围内驱动,典型栅极电荷为 36 nC

确保驱动器能够提供所需的充电和切换速度。

热管理应如何进行连续运行?


具有 179 W 耗散能力和最大接点温度为 150 °C,使用合适的 PCB 热通道、铜区或散热片以保持接点温度在限值范围内。

此设备是否适用于汽车认证?


它未指定为符合汽车标准,因此在没有进一步验证的情况下,不应认为它适用于经认证的汽车应用。

哪些封装和安装因素会影响布局?


该设备采用 PowerPAK SO‐8DC 表面贴装封装,带八个引脚

平面垫几何形状和热垫,可实现低热阻和可靠的焊点。

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