Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 35 A, TO-263, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 268-8290
- 制造商零件编号:
- SIHB080N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB35.84 | RMB71.68 |
| 10 - 18 | RMB32.325 | RMB64.65 |
| 20 - 98 | RMB31.67 | RMB63.34 |
| 100 - 498 | RMB26.465 | RMB52.93 |
| 500 + | RMB25.94 | RMB51.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8290
- 制造商零件编号:
- SIHB080N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-263 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 硅 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 功率 MOSFET,带快速主体二极管和第 4 代 E 系列技术,可减少开关和传导损耗,且可用于开关模式电源、服务器电源和功率因数校正功率支持等应用
低有效电容
浪涌能量额定值
优势数字低
浪涌能量额定值
优势数字低