Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB085N60EF-GE3, SIHB系列

RS 库存编号:: 268-8293P
制造商零件编号:: SIHB085N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB085N60EF-GE3, SIHB系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	34A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-263
	系列	SIHB
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.084Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	184W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	10.67mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 34A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-263
	系列 SIHB
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.084Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 184W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 10.67mm
	汽车标准否

Datasheet - SIHB085N60EF-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHB 系列 MOSFET,650 V 最大漏源电压,34 A 最大连续漏电流 - SIHB085N60EF-GE3

这款高电压 N 通道 MOSFET 专为要求严苛的工业和电子系统中的电源开关而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于需要稳健电压处理和高耐热性的应用中的表面贴装组装。该设备支持传统栅极驱动电平,适用于需要受控传导和快速切换的应用。

特性和优点：

• 650 V 排放额定值,具有高电压切换能力
• 34 A 连续漏电流,适用于重负载操作
• 0.084Ω Rds(on)可最大程度地减少电路中的传导损耗
• 184W 功耗可实现持续的热负载处理
• 63nC 典型栅极电荷,可优化开关性能
• 30V 栅极容差支持标准栅极驱动电压

应用

• 适用于高电压SMPS初级侧开关
• 适用于工业电机驱动变频器级别
• 用于功率因数校正前端开关
• 可用于高压继电器和接触器驱动电路

其能在什么温度范围内运行？

它的额定工作温度低至-55°C,最高可达150°C,可在广泛的热环境中使用。

这款封装如何适用于组装过程?

该设备采用 TO-263 表面贴装封装,带三个引脚,便于在电源 PCB 上进行自动焊接安装和热管理。

栅极驱动要求限制是多少?

最大允许的栅极到源极电压为 30 V,因此栅极驱动电路应设计为保持在此阈值范围内。

该组件是否符合任何环境指令?

它符合RoHS要求,表明其结构中没有某些受限物质。

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB085N60EF-GE3, SIHB系列

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