Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=850 V, 5 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB6N80AE-GE3, SIHB系列
- RS 库存编号:
- 268-8295P
- 制造商零件编号:
- SIHB6N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 20 | RMB17.238 |
| 25 - 95 | RMB16.898 |
| 100 - 495 | RMB13.878 |
| 500 + | RMB12.366 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8295P
- 制造商零件编号:
- SIHB6N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 850V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | SIHB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.95Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 850V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 SIHB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.95Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay E 系列功率 MOSFET 具有低切换和传导损耗,可用于开关模式电源、服务器电源和功率因数校正电源等应用。它具有集成齐纳二极管,用于 ESD 保护。
低有效电容
浪涌能量额定值
优势数字低