Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG085N60EF-GE3, EF系列

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268-8297
制造商零件编号:
SIHG085N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

34A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247AC

系列

EF

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.084Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

184W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

15.7mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay EF 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,34 A 连续漏电流 - SIHG085N60EF-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道设备,专为工业和电子系统中的开关和控制任务而设计。它以增强模式运行,并采用通孔 TO-247 封装,适用于需要稳固安装和热处理的组件。该设备适用于需要高阻断电压和大量连续电流能力的应用。

特性和优点：


• 650 V 最大排放源电压可实现高电压切换
• 34 A 连续排放电流支持重负载处理
• 低 Rds(on) 0.084Ω 可减少传导损耗
• 184W 功耗可实现更高的功率运行
• 63nC 典型栅极电荷有助于在 SMPS 中快速切换
• 最高工作温度为150°C,可耐受高温环境

应用


• 适用于高电压开关模式电源
• 特别适用于工业电机驱动前端
• 用于可再生能源逆变器的电力转换
• 可用于高电压脉冲和逆变器电路

此设备需要考虑哪些栅极驱动因素?


栅极驱动器必须容纳 30 V 的最大栅极-源额定电压,并管理 63 nC 的典型栅极电荷,以实现所需的切换速度,同时限制瞬态过冲。

在要求严苛的装置中,应如何进行热管理?


具有 184 W 额定功耗,使用 TO-247 通孔格式的合适尺寸散热器和热安装,以保持接线温度在设备的限制范围内。

对于坚固的部署,是否有环境运行限制?


该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在工业环境中常见的宽温度范围内使用。

设计人员必须遵守哪些电气应力限制?


设计人员应遵守最大 650 V 排放源电压,并确保对可能超过此额定值的电压峰值提供瞬态保护。