Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=34 A, 3针, TO-247AC, EF系列

RS 库存编号:: 268-8297
制造商零件编号:: SIHG085N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=34 A, 3针, TO-247AC, EF系列

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RS 库存编号:: 268-8297
制造商零件编号:: SIHG085N60EF-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	34A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EF
	包装类型	TO-247AC
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.084Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	184W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	15.7mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 34A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EF
	包装类型 TO-247AC
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.084Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 184W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 15.7mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHG085N60EF-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay EF系列功率MOSFET，最大漏源电压650V，最大连续漏极电流34A - SIHG085N60EF-GE3

该功率 MOSFET 是一款高压 N‑沟道开关器件，专为功率组件的通孔‑安装而设计。它适用于需要在宽温度范围内实现稳健高压开关和高效导通的场合，并符合RoHS环保限制要求。

特性和优点：

• 650V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 34A连续漏电流支持大量负载处理
• 0.084Ω Rds(on) 可降低负载下的传导损耗
• 184W 功耗，支持显著的热通量
• 63nC典型栅极电荷支持可预测的驱动需求
• 工作温度范围为-55°C至150°C，适用于恶劣环境

应用

• 适用于高压开关模式电源
• 适用于工业电机驱动装置逆变级应用
• 用于机器人的分立式功率转换器
• 可用于变频器前端开关级应用
• 适用于功率因数校正电路

它采用哪种封装和安装方式？

它采用 TO-247AC 封装，专为通孔‑安装而设计，可实现稳固的电路板固定及简便的散热。

我应该遵守哪些栅极驱动电压限制？

栅极‑到源极‑的额定最大电压为 30V，因此栅极驱动电路必须保持在此限值范围内，以防止栅极损坏。

热工性能与安装之间有何关联？

该器件 184W 的功耗额定值要求具备充足的散热和热管理措施，以确保在高‑功率运行期间结温保持在规定限值以下。

它是否适用于汽车系统？

未指定符合汽车行业标准

适用性取决于所提供额定值之外的系统安全性和认证要求。