Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 22 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG150N60E-GE3, SIHG系列
- RS 库存编号:
- 268-8299
- 制造商零件编号:
- SIHG150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB36.685 | RMB73.37 |
| 10 - 98 | RMB33.00 | RMB66.00 |
| 100 - 498 | RMB27.03 | RMB54.06 |
| 500 + | RMB23.605 | RMB47.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8299
- 制造商零件编号:
- SIHG150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | SIHG | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.158Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 SIHG | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.158Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHG系列MOSFET,650 V漏源电压,22 A连续漏电流 - SIHG150N60E-GE3
此 N 通道 MOSFET 设计用于切换和控制工业电子和自动化设备中的高电压电源。它可用作增强模式晶体管,适用于需要高阻断电压和显著电流容量的分立功率级。该设备采用通孔 TO-247AC 封装,适用于传统组装和散热布置。
特性和优点：
• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 22 A 连续电流支持大量负载处理 • 0.158Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗 • 179W 功耗,可实现强大的热输出 • 36nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 30V 栅极容差可适应常见驱动电压
应用
• 适用于工业系统中的高压直流-直流转换器 • 适用于制造设备中的开关模式电源 • 用于需要高压开关的电机驱动级 • 可用于自动化机架中的线路侧电源转换 • 用于实验室电力电子设备的开发和测试
其能在什么温度范围内运行？
该设备可在 -55°C 至 150°C 的宽环境范围内工作,适用于严苛的热环境。
如何最佳安装热管理?
通孔 TO-247AC 格式允许使用封装片和标准安装硬件直接连接到散热器,以改善热传输。
应遵守哪些栅极驱动因素?
栅极应在 ±30V 绝对极限范围内驱动,开关波形应考虑典型的 36nC 栅极电荷,以管理转换损耗和驱动器尺寸。
提供哪种插针配置?
它是一种三引脚晶体管布局,与常见的电源PCB尺寸和通孔组装工艺兼容。