Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 13 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH250N60EF-T1GE3, SIHH系列
- RS 库存编号:
- 268-8303
- 制造商零件编号:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 248 | RMB26.035 | RMB52.07 |
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- RS 库存编号:
- 268-8303
- 制造商零件编号:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 8 x 8 | |
| 系列 | SIHH | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.25Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 8 x 8 | ||
系列 SIHH | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.25Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay SIHH系列MOSFET,650 V漏源电压,13 A连续漏电流 - SIHH250N60EF-T1GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业电气系统中的开关和功率转换而设计。它适用于需要稳健电压处理和耐热性的表面安装组件,可在宽温度范围内工作,以适应严苛环境。
特性和优点:
• 650V 漏电容量可实现高电压开关应用 • 13 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.25Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗 • 23nC 典型栅极电荷,可控制开关动态 • 30V 最大栅极驱动容差可适应标准栅极驱动器 • 89W 功耗可实现持久热负载
应用
• 适用于工业驱动器中的高压电源开关 • 特别适用于需要高 Vds 的开关模式电源 • 用于处理中等电流的电机逆变器级 • 可用于工厂设备的功率因数校正模块
电路组装需要哪种安装方式?
它使用PowerPAK 8x8表面封装,带四个引脚,用于低电感PCB安装。
该设备在极端温度下的行为如何?
它的工作温度范围为-55°C至150°C,可用于温度变化较大的装置。
漏极和源极之间最大电压是多少?
最大漏源电压额定值为 650 V,定义了稳定状态阻断电压的上限。
应遵守哪些栅极驱动限制?
栅极-源电压不得超过 30 V,以避免损坏栅极氧化物。
是否有规定材料限制?
该组件符合 RoHS 标准,表明对某些危险物质的限制。
