Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 13 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH250N60EF-T1GE3, SIHH系列

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制造商零件编号:
SIHH250N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PowerPAK 8 x 8

系列

SIHH

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.25Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

89W

最高工作温度

150°C

长度

8mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
TW

Vishay SIHH系列MOSFET,650 V漏源电压,13 A连续漏电流 - SIHH250N60EF-T1GE3


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业电气系统中的开关和功率转换而设计。它适用于需要稳健电压处理和耐热性的表面安装组件,可在宽温度范围内工作,以适应严苛环境。

特性和优点:


• 650V 漏电容量可实现高电压开关应用 • 13 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.25Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗 • 23nC 典型栅极电荷,可控制开关动态 • 30V 最大栅极驱动容差可适应标准栅极驱动器 • 89W 功耗可实现持久热负载

应用


• 适用于工业驱动器中的高压电源开关 • 特别适用于需要高 Vds 的开关模式电源 • 用于处理中等电流的电机逆变器级 • 可用于工厂设备的功率因数校正模块

电路组装需要哪种安装方式?


它使用PowerPAK 8x8表面封装,带四个引脚,用于低电感PCB安装。

该设备在极端温度下的行为如何?


它的工作温度范围为-55°C至150°C,可用于温度变化较大的装置。

漏极和源极之间最大电压是多少?


最大漏源电压额定值为 650 V,定义了稳定状态阻断电压的上限。

应遵守哪些栅极驱动限制?


栅极-源电压不得超过 30 V,以避免损坏栅极氧化物。

是否有规定材料限制?


该组件符合 RoHS 标准,表明对某些危险物质的限制。