Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK085N60EF-T1GE3, SIHK系列
- RS 库存编号:
- 268-8306
- 制造商零件编号:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 2000 件）*
RMB69,130.00
(不含税)
RMB78,116.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB34.565 | RMB69,130.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8306
- 制造商零件编号:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.085Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 184W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.085Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 184W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 9.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK系列MOSFET,650 V最大漏源电压,30 A最大连续漏电流 - SIHK085N60EF-T1GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子产品的功率转换和控制而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于PCB安装,适用于需要强大的耐热性和大量电流处理的严苛应用。
特性和优点：
• 650V 额定值可实现高电压开关能力 • 30 A 连续排放电流支持重负载 • 0.085Ω Rds(on)可减少开关时的传导损耗 • 63nC 典型栅极电荷可实现可预测的栅极驱动设计 • 184W 功耗允许显著的热流量 • 150°C的最高接点温度支持高温运行
应用
• 适用于自动化系统中的高压直流-直流转换器 • 特别适用于需要高电流空间的电机驱动前端 • 用于工业电子产品的开关模式电源 • 可用于电源控制设备中的变频器级
应考虑哪些栅极驱动限制?
该设备可耐受高达 30 V 的栅极电压,典型总栅极电荷为 63 nC,因此驱动器必须在该电压限制范围内提供足够的电荷和压降控制。
如何在PCB上排列热管理?
具有 184 W 的最大耗散和高接线能力,提供大量铜面积、热通道和适当的散热器连接模式,以保持安全的工作温度。
它在运行过程中可承受的环境温度范围是多少?
它可在 -55°C 和最高 150°C 下工作,可在广泛的环境环境和高接点场景中部署。
需要哪种安装方式才能实现可靠组装?
该部件专为在带有 8 引脚接口的 PowerPAK 10x12 封装中安装 PCB 而设计,因此应使用标准电源封装焊接工艺。