Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=30 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, SIHK系列

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包装方式：
RS 库存编号:
268-8307P
制造商零件编号:
SIHK085N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SIHK

包装类型

PowerPAK 10 x 12

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.085Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

184W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

9.9mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHK系列MOSFET,650 V最大漏源电压,30 A最大连续漏电流 - SIHK085N60EF-T1GE3


该 MOSFET 是一种高压开关晶体管，专为需要高压和耐热性的电源转换和开关应用而设计。它是一款 PCB 安装式 N 沟道增强装置，针对严苛的热环境中的中电流高压电路进行了优化。该组件符合 RoHS 指令，专为在工业和电力电子设计中指定坚固耐用分立功率晶体管的工程师而设计。

特性和优点：


• 650V 最大漏电压可提供宽幅高压容量
• 30A 连续漏极电流支持大负载电流
• 0.085 Ω Rds(on) 可降低功率路径中的导通损耗
• 184W 最大功耗可实现持续高功率运行
• 63 nC 的典型栅极电荷可实现可预测的开关驱动要求。
• 栅源极限 ±30V 可在瞬态情况下保护栅极驱动边缘

应用


• 适用于工业系统中的高压直流-直流转换器
• 用于电机驱动变频器级别的脚相开关
• 适用于 SMPS 拓扑中的主侧开关
• 可用于电池管理系统中的负载切换
• 适用于需要紧凑封装密度的离散功率级

该设备在运行过程中可承受哪些极端温度?


其设计操作温度范围为 -55 °C 至 150 °C，涵盖低温启动和高温结温条件。

我应该预期用于 PCB 组装和散热管理的是哪种封装类型？


它采用 PowerPAK 10x12 封装，针对 PCB 安装进行了优化，有助于散热和低电感布局。

栅极电荷值隐含了哪些栅极驱动方面的考虑因素？


典型的 63 nC 栅极电荷要求驱动器能够提供和吸收足够的电流，以满足所需的开关速度，同时控制开关损耗。

通道配置如何影响电路设计选择？


作为一种 N 沟道增强装置，它需要合适的栅极驱极性，通常用于低端或高端开关，带电平移位。

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