Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK085N60EF-T1GE3, SIHK系列

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制造商零件编号:
SIHK085N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

SIHK

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.085Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

184W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

9.9mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHK系列MOSFET,650 V最大漏源电压,30 A最大连续漏电流 - SIHK085N60EF-T1GE3


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子产品的功率转换和控制而设计。它可用作增强模式晶体管,适用于PCB安装,适用于需要强大的耐热性和大量电流处理的严苛应用。

特性和优点：


• 650V 额定值可实现高电压开关能力 • 30 A 连续排放电流支持重负载 • 0.085Ω Rds(on)可减少开关时的传导损耗 • 63nC 典型栅极电荷可实现可预测的栅极驱动设计 • 184W 功耗允许显著的热流量 • 150°C的最高接点温度支持高温运行

应用


• 适用于自动化系统中的高压直流-直流转换器 • 特别适用于需要高电流空间的电机驱动前端 • 用于工业电子产品的开关模式电源 • 可用于电源控制设备中的变频器级

应考虑哪些栅极驱动限制?


该设备可耐受高达 30 V 的栅极电压,典型总栅极电荷为 63 nC,因此驱动器必须在该电压限制范围内提供足够的电荷和压降控制。

如何在PCB上排列热管理?


具有 184 W 的最大耗散和高接线能力,提供大量铜面积、热通道和适当的散热器连接模式,以保持安全的工作温度。

它在运行过程中可承受的环境温度范围是多少?


它可在 -55°C 和最高 150°C 下工作,可在广泛的环境环境和高接点场景中部署。

需要哪种安装方式才能实现可靠组装?


该部件专为在带有 8 引脚接口的 PowerPAK 10x12 封装中安装 PCB 而设计,因此应使用标准电源封装焊接工艺。

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