Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK105N60EF-T1GE3, SIHK系列
- RS 库存编号:
- 268-8309P
- 制造商零件编号:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8309P
- 制造商零件编号:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.105Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最大功耗 Pd | 142W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.105Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最大功耗 Pd 142W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 9.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK系列MOSFET,650 V漏源电压,24 A连续漏电流 - SIHK105N60EF-T1GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道半导体开关,专为工业电子产品中的功率转换和开关任务而设计。它可在宽温度范围内工作,并以 8 针封装安装到印刷电路板上,在开关能力和热处理之间实现平衡,适用于严苛的电气控制环境。
特性和优点：
• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 24 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.105Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗 • 51nC 栅极电荷可实现受控的开关性能 • 142W 功耗有助于在 PCB 上处理高功率 • ±30V 栅极容差允许宽栅极驱动空间
应用
• 适用于工业电机驱动变频器级别 • 适用于高电压电源和转换器 • 用于自动化系统中的直流-直流转换 • 可用于机械设备中的开关模式电源控制器 • 适用于配电装置的电源开关
此设备在运行期间可承受哪些极端热?
它的额定工作温度范围为-55°C至最高150°C,可在恶劣的热环境中使用。
电路板上需要多少引脚和哪种安装方式?
它采用 8 引脚配置,专为在 PowerPAK 10x12 封装中进行 PCB 安装而设计。
应遵守哪些类型的栅极驱动限制?
该设备可在栅极和源之间接受高达 30 V 的电压,因此栅极驱动电路应保持在该限制范围内,以避免损坏。
该设备如何满足环境材料限制要求?
它符合RoHS要求,表明符合有限危险物质的要求。