Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK105N60E-T1-GE3, SIHK系列
- RS 库存编号:
- 268-8311
- 制造商零件编号:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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| 100 - 248 | RMB29.525 | RMB59.05 |
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- 268-8311
- 制造商零件编号:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 132W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 132W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 9.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK 系列 MOSFET,650 V 漏源电压,24 A 漏电流 - SIHK105N60E-T1-GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业和电子系统中的电源开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要处理高漏源电压和大电流能力的应用中的PCB安装。该组件采用紧凑型 PowerPAK 封装,适用于密集的板布局。
特性和优点：
• 650 V 最大排放源电压可实现高电压开关应用 • 24 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.1Ω Rds(on)可减少传导损耗并提高效率 • 132W 功耗可在热设计中实现持久的功率处理 • 53nC 典型栅极电荷(Vgs)限制开关能量,实现更快的转换 • 最高工作温度为150°C,可实现更高的热工作范围
应用
• 适用于高电压电源和转换器 • 适用于工业电机驱动变频器级别 • 用于开关模式电源初级侧开关 • 可用于光伏逆变器功率级 • 适用于功率因数校正电路
安全运行的允许栅极驱动电压是多少?
栅极-源电压不得超过 30 V,以防止栅极氧化物过度应力并确保可靠的开关。
该设备在冷启动条件下的低温下的表现如何?
它的额定工作温度低至-55°C,可在零以下温度下保持增强模式传导特性。
哪种封装和引脚配置有助于PCB组装?
该组件采用 PowerPAK 10x12 封装,配有八个引脚,便于在 PCB 布局上实现自动焊接和热接触。
典型栅极电荷对开关设计有何影响?
额定栅极驱动器的 53nC 栅极电荷影响栅极驱动器尺寸和开关损耗,提供驱动器电流能力选择信息。