Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=24 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, SIHK系列

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包装方式：
RS 库存编号:
268-8311
制造商零件编号:
SIHK105N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

SIHK

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

53nC

最大功耗 Pd

132W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

9.9mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHK 系列 MOSFET，最大漏源电压 650V，最大连续漏极电流 24A - SIHK105N60E-T1-GE3


该 MOSFET 是一种高压 N 沟道晶体管，专用于 PCB 上的功率开关。它可在宽温度范围内工作，适用于工业环境，以及需要大功率处理和高漏源电压适应性的应用。该设备采用薄型 PowerPAK 封装，便于在 PCB 组件上进行热管理。

特性和优点：


• 650V 的漏源额定值可实现高压开关
• 24A 连续漏极电流支持大负载电流
• 0.1Ω 的低导通电阻可降低导通损耗
• 132W 最大耗散可提升散热空间
• 53nC 典型栅极电荷可平衡开关速度和驱动力
• Vgs 30V 栅极限允许稳固的栅极驱动范围

应用


• 适用于工业高压电源
• 适用于开关模式电源转换阶段
• 与需要高电压的电机驱动变频器配合使用
• 可用于功率因数校正电路
• 适用于公用事业及可再生能源接口电子设备

它能在什么温度范围内稳定运行？


该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在严苛的热环境下使用。

影响散热性能的封装和安装注意事项有哪些？


它采用 PowerPAK 10x12 封装，专为 PCB 安装而设计，当与合适的铜平面和热通道配合使用时，有助于散热。

栅极电荷如何影响驱动装置选择？


由于典型总栅极电荷为 53nC，驱动装置必须提供足够的电流以实现所需的开关速度，同时还要控制栅极驱动损耗。

最大允许的栅源电压是多少？


最大 Vgs 为 30V，因此栅极驱动电路的设计应保持在 30V 以内，以避免设备应力。

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