Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=21 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, SIHK系列

RS 库存编号:: 268-8312
制造商零件编号:: SIHK125N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=21 A, 8针, PowerPAK 10 x 12, SIHK系列

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制造商零件编号:: SIHK125N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	21A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	SIHK
	包装类型	PowerPAK 10 x 12
	安装类型	PCB
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.125Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	45nC
	最大功耗 Pd	132W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	9.9mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 21A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 SIHK
	包装类型 PowerPAK 10 x 12
	安装类型 PCB
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.125Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC
	最大功耗 Pd 132W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 9.9mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK系列MOSFET,650 V最大漏源电压,21 A最大连续漏电流 - SIHK125N60EF-T1GE3

该 MOSFET 是一种高压 N 沟道开关晶体管，专用于 PCB 上的功率转换和控制。它可在宽热范围内工作，适用于在 PCB 安装 PowerPAK 封装中需要稳健电压处理和中等电流容量的应用。

特性和优点：

• 650V 放电能力，适用于高压开关
• 21A 持续漏极电流，确保稳定的功率输出
• 0.125Ω 低导通电阻 (Rds(on)) 可降低导通损耗
• 132W 功耗，留有散热余量
• 典型栅极电荷为45nC，可实现可预测的开关能量
• 30V 栅源电压额定值，可实现灵活的栅极驱动电平

应用

• 适用于工业设备的开关电源
• 适用于高压电机驱动前端
• 用于功率转换器中的隔离式栅极驱动器
• 可用于功率因数校正级别
• 适用于可再生能源系统中的变频器电路

用于 PCB 组装和热管理，提供哪种封装？

该组件采用 PowerPAK 10x12 表面贴装，专为 PCB 安装而设计，有助于将热量传递到电路板并促进基于焊接的热路径。

该器件在运行期间能承受怎样的极端温度？

其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，因此可在温度变化较大的环境中使用。

该器件如何作为栅极驱动开关工作？

它是一款增强模式 N 沟道 MOSFET，需要高达 30V 限值的正栅源电压进行传导，其典型栅极电荷为 45nC，可为开关能量计算提供信息。