Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK125N60EF-T1GE3, SIHK系列
- RS 库存编号:
- 268-8312
- 制造商零件编号:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
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RMB41,758.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB20.879 | RMB41,758.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8312
- 制造商零件编号:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.125Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 132W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.125Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 132W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.9mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK系列MOSFET,650 V最大漏源电压,21 A最大连续漏电流 - SIHK125N60EF-T1GE3
此 MOSFET 是高电压 N 通道开关晶体管,设计用于印刷电路板上的功率转换和控制。它适用于需要高排放到源电压处理和大电流能力的要求严苛的电气和电子系统。该设备采用 Compact PowerPAK 10x12 封装,用于 PCB 安装,适用于在宽温度范围内运行的应用。
特性和优点：
• 650 V 漏源额定值可实现高电压切换
• 21 A 连续排放电流支持重负载
• 0.125Ω Rds(on)可减少工作电流时的传导损耗
• 45nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动管理
• 132W 功耗允许大量热负载
• 21 A 连续排放电流支持重负载
• 0.125Ω Rds(on)可减少工作电流时的传导损耗
• 45nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动管理
• 132W 功耗允许大量热负载
应用
• 适用于工业电机驱动变频器级别
• 适用于自动化系统中的高压电源
• 用于电气设备的开关模式电源转换
• 可用于中等功率的牵引和转换模块
• 适用于自动化系统中的高压电源
• 用于电气设备的开关模式电源转换
• 可用于中等功率的牵引和转换模块
它在开关电路中可承受的电压应力是多少?
它可处理排放和源之间高达 650 V 的电压,适用于高电压拓扑结构。
栅极电荷对驱动设计有何影响?
典型栅极电荷为 45nC,可在过渡事件期间提供栅极驱动器电流和开关损耗计算信息。
它能在哪些极端温度下工作?
接点温度的工作限制范围为-55°C(低端)至150°C(高端)。
它使用多少引脚和哪种安装方式?
它是一款8针设备,专为PCB安装而设计,采用PowerPAK 10x12封装。
最大允许的栅极电压是多少?
栅极可与源相比驱动高达 30 V,不超过其栅极-源额定值。