Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 16 A, PowerPAK 10 x 12, PCB安装, 8引脚, SIHK185N60EF-T1GE3, SIHK系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

RMB1,624.75

(不含税)

RMB1,835.95

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
50 - 98RMB32.495
100 - 248RMB26.62
250 - 998RMB26.105
1000 +RMB24.59

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
268-8316P
制造商零件编号:
SIHK185N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SIHK

包装类型

PowerPAK 10 x 12

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.193Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

114W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

最高工作温度

150°C

长度

9.9mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHK系列MOSFET,650 V漏源电压,16 A连续漏电流 - SIHK185N60EF-T1GE3


此 MOSFET 是高电压 N 通道晶体管,设计用于 PCB 组件上的电源开关。它可在宽温度范围内工作,适用于需要稳健电压处理和耐热性的工业控制和电源转换环境。

特性和优点:


• 650 V 漏电压可实现高电压开关应用 • 16 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.193Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗和发热 • 114W 功耗可实现持久的功率处理 • 32nC 典型栅极电荷支持中等快速的切换速度 • 30 V 最大栅极驱动允许灵活的栅极控制设计

应用


• 适用于高压电源转换器和逆变器 • 适用于工业系统中的开关模式电源 • 用于自动化设备中的电机驱动开关 • 可用于照明镇流器和电子变压器控制

在系统设计中,它能承受哪些极端热?


它的工作温度范围为-55°C至150°C,可在环境温度变化较大的环境中使用。

印刷电路板上需要考虑哪些安装因素?


它适用于PCB安装,采用PowerPAK 10x12封装,带八个引脚,因此PCB布局应提供足够的热通道和铜面积以实现热传播。

如何限制栅极驱动以保护设备?


栅极与源不得超过±30V,因此栅极驱动电路应包括夹紧或调节以防止过电压。

哪些电荷特性会影响栅极驱动器的选择?


在指定的栅极偏置时,典型栅极电荷为 32nC,提供用于栅极驱动器尺寸的所需驱动电流和开关损耗。