Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=34 A, 3针, JEDEC TO-220AB, SIHP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
268-8318
制造商零件编号:
SIHP085N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

34A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

SIHP

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.084Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

184W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHP 系列 MOSFET，漏源电压 650V，连续漏极电流 34A - SIHP085N60EF-GE3


这款 MOSFET 是一款高压 N 沟道开关晶体管，专为要求严苛的功率电路中的通孔组装而设计。它能在宽温度范围内运行，适用于需要热强度的环境，并为转换和开关任务提供强大的连续电流能力和电压处理能力。

特性和优点：


• 650V 的漏源额定值可实现高压开关
• 34A 连续漏极电流可满足重负载应用需求
• 0.084Ω 的低导通电阻 (RDS(on)) 可最大限度地减少导通损耗
• 184W 功耗，支持高功率运行
• 63nC 的典型栅极电荷允许可控的开关转换
• 1.2V 正向电压可减少体-二极管传导下降

应用


• 适用于高压电源转换器和反相器
• 适用于工业系统中的开关电源
• 用于需要高电流处理的电机驱动级别
• 可用于硬开关拓扑和能量回收
• 适用于实验室和原型制作，采用通孔安装方式

电路板组装需要哪种安装方式？


它采用 TO-220AB 封装，适用于通孔安装和标准散热选项。

我应该遵守哪些栅极驱动电压限制？


最大栅源电压为 30V，因此栅极驱动电路必须保持在 30V 以内，以避免损坏。

它在运行过程中如何应对极端温度?


该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在较宽的环境温度和较高的结温范围内使用。

该通道在电路设计中具有哪些极性和模式？


它是一种 N 沟道增强型器件，需要相对于源极施加正栅极偏置才能导通。

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