Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP085N60EF-GE3, SIHP系列

RS 库存编号:: 268-8318
制造商零件编号:: SIHP085N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP085N60EF-GE3, SIHP系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	34A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	SIHP
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.084Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	184W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 34A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 SIHP
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.084Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 184W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHP085N60EF-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHP 系列 MOSFET,650 V 最大漏源电压,34 A 最大连续漏电流 - SIHP085N60EF-GE3

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业和电子系统中的电源开关而设计。它可在宽温度范围内工作,并采用通孔 TO‐220AB 封装,便于直接安装和热管理。该设备适用于需要受控高压开关和大量连续电流处理的应用。

特性和优点：

• 650V 额定值支持高电压开关应用 • 34 A 连续排放电流支持重负载操作 • 0.084Ω‐导通电阻可减少传导损耗 • 184W 功耗可实现更高的功率处理 • 63nC 典型栅极电荷允许可预测的驱动要求 • 150°C 最高接点温度可承受高温运行

应用

• 适用于工业电机驱动开关级 • 适用于开关模式电源高压开关 • 用于自动化控制系统的电力转换 • 可用于逆变器前端开关模块 • 适用于需要通孔安装的实验室测试架

我应该考虑哪些栅极驱动因素?

在 Vgs 下的典型栅极电荷为 63nC,确保栅极驱动器能够在控制 EMI 时提供和吸收足够的电流,以实现所需的开关速度。

封装对热设计有何影响?

TO‐220AB 通孔格式可轻松连接到散热器,并提供简单的散热路径,在正确的散热条件下可管理高达 184 W 的散热功率。

它能承受哪些工作环境范围?

该设备可在 -55°C 至 150°C 的最高工作温度范围内工作,适用于冷启动和高温安装。

如何保护设备免受过电压事件的影响?

由于该晶体管的最大漏源电压为 650 V,栅极限为 30 V,因此包括适当的减速器、夹式二极管或瞬态抑制器,并确保栅极驱动不超过栅极源限制。

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP085N60EF-GE3, SIHP系列

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