Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 22 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP150N60E-GE3, SIHP系列
- RS 库存编号:
- 268-8319
- 制造商零件编号:
- SIHP150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB18.514 | RMB925.70 |
| 100 - 450 | RMB17.958 | RMB897.90 |
| 500 + | RMB17.42 | RMB871.00 |
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- RS 库存编号:
- 268-8319
- 制造商零件编号:
- SIHP150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | SIHP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.158Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 SIHP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.158Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHP 系列 MOSFET,650 V 最大漏源电压,22 A 最大连续漏电流 - SIHP150N60E-GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子产品中的功率转换和控制任务而设计。它作为增强模式晶体管运行,采用通孔 TO-220AB 封装,适用于需要稳健热管理和可维护安装的装置。该组件支持高温运行,适用于需要在高漏源电压下进行受控栅极驱动开关的电路。
特性和优点：
• 650V 排放额定值,支持高电压开关应用 • 22 A 连续漏电流,可处理大量负载 • 0.158Ω Rds(on),可减少接通状态下的传导损耗 • 179W 功耗,可实现更高的热负载能力 • 36nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • ±30V 栅极容差,允许灵活的栅极驱动余额
应用
• 适用于需要高 Vds 的工业电机逆变器级别 • 适用于处理高输入电压的开关模式电源 • 用于自动化驱动模块中的前端电源开关 • 可用于高压控制电路中的继电器更换 • 与需要通孔安装的分立电源组件配合使用
该设备在运行过程中可承受哪些极端温度?
它的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在冷启动和高温环境中部署。
哪些包装因素影响散热器和安装?
TO-220AB 通孔格式提供金属背板,可直接连接到散热器,并可直接安装在面板上,实现有效散热。
栅极电荷对开关性能有何影响?
典型栅极电荷为 36nC,可确定每个转换所需的驱动能量,并影响开关损耗和栅极驱动器尺寸。
我应该遵守的栅极驱动电压是否有限制?
指定的最大栅极源电压为 30 V,定义了栅极驱动波形的安全振幅,以避免设备应力。