Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 126 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SiJA54ADP-T1-GE3, SiJA系列
- RS Stock No.:
- 268-8323
- Mfr. Part No.:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Bulk discount available
Subtotal (1 pack of 5 units)*
¥78.71
(exc. VAT)
¥88.94
(inc. VAT)
有库存
- 另外 6,050 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB15.742 | RMB78.71 |
| 50 - 95 | RMB14.172 | RMB70.86 |
| 100 - 245 | RMB11.41 | RMB57.05 |
| 250 - 995 | RMB11.19 | RMB55.95 |
| 1000 + | RMB9.118 | RMB45.59 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8323
- Mfr. Part No.:
- SiJA54ADP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 126A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | SiJA | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0023Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 65.7W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5.13mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 126A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 SiJA | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0023Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 65.7W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5.13mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它具有柔性引线,可提供机械应力的耐受性。它可用作同步整流、直流或交流变频器的应用。
优化切换特性
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试