Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=73 A, 8针, PowerPAK SO-8, SiR系列

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包装方式：
RS 库存编号:
268-8331
制造商零件编号:
SIR184LDP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

73A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

SiR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0058Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

62.5W

最高工作温度

150°C

长度

5.15mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它可用于同步整流、电动机驱动开关、电池和负载开关等应用。

优势数字非常低

符合 ROHS 标准

100% UIS 测试

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