Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 73 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR184LDP-T1-RE3, SiR系列
- RS 库存编号:
- 268-8331
- 制造商零件编号:
- SIR184LDP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥39.87
(不含税)
¥45.055
(含税)
有库存
- 另外 5,950 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB7.974 | RMB39.87 |
| 50 - 95 | RMB7.152 | RMB35.76 |
| 100 - 245 | RMB5.58 | RMB27.90 |
| 250 - 995 | RMB5.464 | RMB27.32 |
| 1000 + | RMB5.30 | RMB26.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8331
- 制造商零件编号:
- SIR184LDP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 73A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 系列 | SiR | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0058Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 73A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
系列 SiR | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0058Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它可用于同步整流、电动机驱动开关、电池和负载开关等应用。
优势数字非常低
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试