Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 33.8 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR5708DP-T1-RE3, SiR系列

可享批量折扣

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

¥449.50

(不含税)

¥508.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 35 个,准备发货
单位
每单位
50 - 95RMB8.99
100 - 245RMB7.044
250 - 995RMB6.898
1000 +RMB5.204

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
268-8333P
制造商零件编号:
SIR5708DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

33.8A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

SiR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.023Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

65.7W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最高工作温度

150°C

长度

5.15mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道 TrenchFET 5 代功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它可用于应用,如同步整流、电动机驱动控制、电源。

优势数字非常低

符合 ROHS 标准

100% UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。