Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 69.4 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SIS184LDN-T1-GE3, SIS系列
- RS 库存编号:
- 268-8342
- 制造商零件编号:
- SIS184LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥64.40
(不含税)
¥72.75
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 6,045 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.88 | RMB64.40 |
| 50 - 95 | RMB11.63 | RMB58.15 |
| 100 - 245 | RMB9.378 | RMB46.89 |
| 250 - 995 | RMB9.182 | RMB45.91 |
| 1000 + | RMB7.458 | RMB37.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8342
- 制造商零件编号:
- SIS184LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 69.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 系列 | SIS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0054Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 69.4A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
系列 SIS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0054Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 5 代功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它可用于同步整流、电动机驱动开关、电池和负载开关等应用。
优势数字非常低
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试