Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 26.2 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5710DN-T1-GE3, SISS系列
- RS 库存编号:
- 268-8348
- 制造商零件编号:
- SISS5710DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥18,285.00
(不含税)
¥20,661.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 6,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB6.095 | RMB18,285.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8348
- 制造商零件编号:
- SISS5710DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 系列 | SISS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0315Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大功耗 Pd | 54.3W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26.2A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
系列 SISS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0315Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最大功耗 Pd 54.3W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 通道 TrenchFET 5 代功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它可用于应用,如同步整流、电动机驱动控制、电源。
优势数字非常低
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试