Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=20.7 A, 8针, SO-8, SQ4840CEY系列

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包装方式:
RS 库存编号:
268-8357P
制造商零件编号:
SQ4840CEY-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

20.7A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SO-8

系列

SQ4840CEY

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.012Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

7.1W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

68nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay 汽车 N 通道 TrenchFET 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备,带单配置 MOSFET,且独立于工作温度。

AEC Q101 认证

符合 ROHS 标准

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