Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 66 A, PowerPAK SO-8L, PCB安装, 4引脚, SQJ186ELP-T1_GE3, SQJ系列
- RS 库存编号:
- 268-8366
- 制造商零件编号:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.318 | RMB63.18 |
| 50 - 90 | RMB6.19 | RMB61.90 |
| 100 - 240 | RMB4.926 | RMB49.26 |
| 250 - 990 | RMB4.826 | RMB48.26 |
| 1000 + | RMB3.424 | RMB34.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8366
- 制造商零件编号:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 66A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 系列 | SQJ | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.032Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大功耗 Pd | 135W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 66A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
系列 SQJ | ||
安装类型 PCB安装 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.032Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最大功耗 Pd 135W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 4.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 汽车 N 通道 TrenchFET 一代 4 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。它是单一的配置设备,与工作温度无关。
AEC Q101 认证
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试