Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 16 A, powerpak 1212-1e 8W, PCB安装, 8引脚, SQSA82CENW-T1_GE3, SQS系列
- RS 库存编号:
- 268-8375P
- 制造商零件编号:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB2.98 |
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| 1000 + | RMB2.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8375P
- 制造商零件编号:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | powerpak 1212-1e 8W | |
| 系列 | SQS | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.073Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 27W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 powerpak 1212-1e 8W | ||
系列 SQS | ||
安装类型 PCB安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.073Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 27W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay 汽车 N 通道 TrenchFET 功率 MOSFET 是无铅和卤素设备。这是单配置 MOSFET 和表面安装类型器件。
AEC Q101 认证
符合 ROHS 标准