STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP80N340K6, STP系列
- RS 库存编号:
- 269-5164
- 制造商零件编号:
- STP80N340K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥96.27
(不含税)
¥108.786
(含税)
有库存
- 476 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB48.135 | RMB96.27 |
| 10 - 18 | RMB45.72 | RMB91.44 |
| 20 - 28 | RMB43.40 | RMB86.80 |
| 30 - 38 | RMB41.24 | RMB82.48 |
| 40 + | RMB39.17 | RMB78.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 269-5164
- 制造商零件编号:
- STP80N340K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | STP | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 340mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 115W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 28.9mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 STP | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 340mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.8nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 115W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 28.9mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
高度 4.6mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 是一种非常高的电压,采用极佳的 MDmesh K6 技术设计,可在每个区域和网关负载上提供最佳类别的电阻,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
超低门费
测试了100%的雪崩