STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 269-5164P
- 制造商零件编号:
- STP80N340K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB45.72 |
| 20 - 28 | RMB43.40 |
| 30 - 38 | RMB41.24 |
| 40 + | RMB39.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 269-5164P
- 制造商零件编号:
- STP80N340K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 是一种非常高的电压,采用极佳的 MDmesh K6 技术设计,可在每个区域和网关负载上提供最佳类别的电阻,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
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测试了100%的雪崩
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