制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=40 V, Id=20 A, 8针, TDSON-8-4, OptiMOS-T2系列

RS 库存编号:: 273-2628
制造商零件编号:: BSC076N04NDATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=40 V, Id=20 A, 8针, TDSON-8-4, OptiMOS-T2系列

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RS 库存编号:: 273-2628
制造商零件编号:: BSC076N04NDATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	20A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	OptiMOS-T2
	包装类型	TDSON-8-4
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	7.6mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	65W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	28nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 20A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 OptiMOS-T2
	包装类型 TDSON-8-4
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 65W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	汽车标准否

Datasheet - BSC076N04NDATMA1

这款 Infineon MOSFET 是一种 N 沟道 40 V 功率 MOSFET。该 MOSFET 针对驱动应用进行了优化，且经过了 100% 雪崩测试。它符合 JEDEC47 20 2 的相关测试标准，适合于工业应用。

无卤

符合 RoHS 标准

无铅引线电镀

快速开关 MOSFET

卓越的耐热性

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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