Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, PG-TO263-3, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS Stock No.:
- 273-2780
- Mfr. Part No.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Brand:
- Infineon
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Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-TO263-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.115Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大功耗 Pd | 114W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-TO263-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.115Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最大功耗 Pd 114W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这款 Infineon MOSFET 是一款 650V CoolMOS CFD7A 功率器件，是 Infineon 最新一代市场领先的汽车级高压 CoolMOS MOSFET。除了众所周知的汽车行业所需的高品质和高度可靠的特性外，新的 CoolMOS CFD7A 系列还提供一个集成的快速体二极管，可用于 PFC 和谐振开关拓扑，如 ZVS 相移全桥和 LLC。
开关损耗更低
高品质，高度可靠
100% 通过雪崩测试
针对更高的电池电压进行了优化