Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, PG-TO263-3, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 273-2780
- 制造商零件编号:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥18.23
(不含税)
¥20.60
(含税)
有库存
- 另外 100 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB18.23 |
| 50 - 99 | RMB17.32 |
| 100 - 249 | RMB16.63 |
| 250 - 499 | RMB16.13 |
| 500 + | RMB15.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2780
- 制造商零件编号:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO263-3 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.115Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大功耗 Pd | 114W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO263-3 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.115Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最大功耗 Pd 114W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这款 Infineon MOSFET 是一款 650V CoolMOS CFD7A 功率器件，是 Infineon 最新一代市场领先的汽车级高压 CoolMOS MOSFET。除了众所周知的汽车行业所需的高品质和高度可靠的特性外，新的 CoolMOS CFD7A 系列还提供一个集成的快速体二极管，可用于 PFC 和谐振开关拓扑，如 ZVS 相移全桥和 LLC。
开关损耗更低
高品质，高度可靠
100% 通过雪崩测试
针对更高的电池电压进行了优化