Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=950 V, 6 A, PG-TO252-3, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 273-2786
- 制造商零件编号:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | RMB12.01 | RMB60.05 |
| 100 - 245 | RMB11.012 | RMB55.06 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2786
- 制造商零件编号:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 950V | |
| 包装类型 | PG-TO252-3 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 950V | ||
包装类型 PG-TO252-3 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是 950V CoolMOS P7 SJ 功率器件。最新的 950V CoolMOS P7 系列树立了 950V 超结技术的新标杆，将同类最佳性能与最先进的易用性结合在一起。它实现了更高的功率密度设计，节省了 BOM 并降低了组装成本。由于它减少了与 ESD 相关的故障，因而提高了生产良率。
减少生产问题
全面优化的产品组合
易于驱动和并联
集成齐纳二极管 ESD 保护