Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 57 A, PG-HDSOP-10-1, 表面安装, 10引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 273-2788
- 制造商零件编号:
- IPDD60R050G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2788
- 制造商零件编号:
- IPDD60R050G7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 57A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-10-1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 50mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 57A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-HDSOP-10-1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 50mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 使用简便，达到了最高质量标准。在应用中采用 PFC 和 PWM 拓扑，可提高规模经济效益。它通过开尔文源极减少了寄生源电感，提高了效率，加快了开关速度，并且由于振铃较少而易于使用。
总体无铅
符合 RoHS 标准
易于可视化检查引线
提高热性能
适合于硬开关和软开关