Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 21 A, PG-VSON-4, 表面安装, 4引脚, IPL65R099C7AUMA1, IPL系列
- RS 库存编号:
- 273-2789
- 制造商零件编号:
- IPL65R099C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥65,394.00
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB21.798 | RMB65,394.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2789
- 制造商零件编号:
- IPL65R099C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | PG-VSON-4 | |
| 系列 | IPL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 最大功耗 Pd | 128W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 PG-VSON-4 | ||
系列 IPL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
最大功耗 Pd 128W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
这款 Infineon MOSFET 为 650V CoolMOS C7 系列功率晶体管。CoolMOS 是一种具有革命意义的高电压功率 MOSFET 技术，根据超结原理设计，由 Infineon Technologies 首创。CoolMOS C7 系列将领先 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术融于一体。该产品组合提供快速开关超结 MOSFET 的所有优点，效率更高，栅极电荷更低，易于实现，高度可靠。
无铅电镀
符合 RoHS 标准
开关损耗更低
增加功率密度
启用更高频率
无卤模制化合物